«Размер гранта Института физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН составил 67 900 000 рублей, - сообщил заместитель директора по научной работе ИФП СО РАН, доктор физико-математических наук Александр Милёхин.  - На целевую субсидию Минобрнауки России в 2022 году мы планируем приобрести, во-первых, диффузионную печь производства Чехии для создания нитридных покрытий для микроэлектронных применений, во-вторых, модульную испытательную систему производства Израиля ― она позволяет тестировать прототипы оптических устройств ― контролировать множество параметров одновременно. Например, в случае фотоприемных устройств, проверять качество оптических покрытий, однородность чувствительности матрицы, обнаруживать дефектные элементы. Третий заказанный прибор (отечественного производства) ―  полуавтоматическая установка термозвуковой микросварки  ―  это базовое оборудование, нужное при создании микроэлектронных устройств. Старая установка, работающая в Институте, сильно изношена и требует замены.
Еще одна приобретаемая установка позволит измерять длины волн лазерного излучения, это рядовой прибор для современной лаборатории, работающей в области фотоники. В действительности таких «рядовых» научных приборов для нашего института требуется гораздо больше  ―  несколько десятков. Это современные осциллографы, генераторы, усилители, микроскопы и другое оборудование».
Александр Милёхин также отметил, что объемы финансирования на обновление приборной базы в первые годы были в разы выше, и планировалось ежегодное увеличение субсидий для обновления приборного парка на 50 процентов: «К сожалению, этого не произошло и Институт не может закупить необходимое и очень дорогостоящее технологическое оборудование, нужно искать для этого другие источники. В любом случае, новые приборы (уже приобретенные на средства субсидий и планируемые к закупке) позволят нам улучшить качество исследований, качество полупроводниковых устройств, создаваемых в институте».
В предыдущие годы благодаря субсидиям ИФП СО РАН удалось частично обновить аналитическое оборудование: были закуплены первоклассные приборы, аналогичные тем, что есть в мировых научных центрах. Институт приобрел фотоэлектронный спектрометр для исследования электронной структуры кристаллов методом фотоэмиссии с угловым и спиновым разрешением (ARPES)», уникальный профилометр, установку фирмы Horiba, в которой совмещены атомно-силовой микроскоп и рамановский спектрометр, криостаты, работающие при сверхнизких температурах.

Наша справка.
Благодаря целевым субсидиям Минобрнауки России в ИФП СО РАН ранее было закуплено следующее оборудование: установка атомно-слоевого осаждения SI PEALD; система фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением ARPES FlexPS; единый комплекс оборудования для ближнепольной микроскопии и спектроскопии фирмы HORIBA; настольная установка лазерной безмасковой фотолитографии модели µMLA; криостат с криомагнитной системой TeslatronPT; установка Wafer Profiler для измерения концентраций легирующих примесей в полупроводниковых структурах; установка неразрушающего измерения карт слоевого сопротивления и подвижности заряда в полупроводниковых структурах; система реконденсации жидкого гелия для работы криомагнитной системы по получению сверхнизких температур в сильных магнитных полях на базе гелиевого реконденсатора.

На фото: фотоэлектронный спектрометр для исследования электронной структуры кристаллов методом фотоэмиссии с угловым и спиновым разрешением (ARPES). Возле спектрометра младший научный сотрудник лаб. ближнепольной оптической спектроскопии и наносенсорики Владимир Голяшов. Фотографии предоставлены пресс-службой ИФП СО РАН.